Для измерений геометрических параметров топографии поверхности с нанометровым пространственным разрешением. Для контроля параметров топографии в плоскости XY при производстве изделий микроэлектроники (пластин), а также при проведении фундаментальных и прикладных исследований для разработки данных элементов.
