Для измерения интенсивности и углов дифракции рентгеновского излучения, рассеянного на кристаллическом объекте при решении задач рентгенодифракционного и рентгеноструктурного анализа материалов в лабораториях промышленных предприятий, учебных заведений и научно-исследовательских институтов в различных отраслях науки и техники.
