Для измерений статических и динамических параметров цифровых микросхем и полупроводниковых кристаллов с числом двунаправленных сигнальных выводов до 200, числом источников питания положительной полярности для тестируемых микросхем - до четырех и частотой функционального контроля - 10 кГц...100 МГц, для выходного контроля параметров и правильности функционирования больших интегральных схем (БИС) при их разработке и производстве, а также для входного контроля качества БИС, используемых в радиотехнической аппаратуре, вычислительной технике, на объектах промышленности.
